特許
J-GLOBAL ID：200903009434049116
窒化物系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117921
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308383
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 発光特性劣化することなく発光領域全体にわたって均一に発光し得る信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物系半導体発光素子は、基板1上において積層された少なくとも第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層2および第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層4を含み、第2導電型半導体層4の上面の主要領域において少なくともパラジウム(Pd)を含むPd含有電極5が形成されており、このPd含有電極5の上面と側面およびその側面から所定幅W以上の領域内における第2導電型半導体層4の表面が導電性の遮蔽膜6によって覆われていて大気またはモールド樹脂から遮蔽されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上において積層された少なくとも第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層および第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む窒化物系半導体発光素子であって、前記第2導電型半導体層の上面の主要領域上においてパラジウム(Pd)を含むPd含有電極が形成されており、このPd含有電極の上面と側面およびその側面から所定幅W以上の領域内における前記第2導電型半導体層表面が導電性の遮蔽膜によって覆われていて大気またはモールド樹脂から遮蔽されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 29/46 H
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB07
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD68
, 4M104FF03
, 4M104FF18
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041DA41
