特許
J-GLOBAL ID：200903071041159561
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288126
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057136
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 不安定動作が抑制され、さらに、不要輻射の低減も可能な、高性能(高信頼性)の半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板(101)に半導体回路パターン(半導体回路パターン部(102)に形成されている。)が設けられた半導体チップと、少なくとも半導体回路パターンを覆うように設けられたキャップ(113)と、を含んでおり、キャップ側壁部(113b)の少なくとも一部に、導電性材料を含む導電部として接着膜(113c)が設けられている。このように、キャップ(113)に導電部を設けることにより、十分な電磁シールド効果が得られ、信頼性の向上が図れる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に半導体回路パターンが設けられた半導体チップと、少なくとも前記半導体回路パターンを覆うように設けられたキャップと、を含む半導体装置であって、
前記キャップの側壁部の少なくとも一部に、導電性材料を含む導電部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/00
, H01L23/02
, H01L23/12
, H01L23/26
H01L23/00 C
, H01L23/02 J
, H01L23/12 501T
, H01L23/26
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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