特許
J-GLOBAL ID：200903071063961361

有機半導体素子の製造方法

発明者：
永江 充孝

永江 充孝 について

, 
小林 弘典

小林 弘典 について

, 
松岡 雅尚

松岡 雅尚 について

, 
本多 浩之

本多 浩之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084547
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244262
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】有機半導体層を必要最小限の面積で形成することができ、オフ電流の小さい有機半導体素子の製造方法の提供を主目的とする。【解決手段】有機半導体層の表面に露出されたソース電極およびドレイン電極の間を覆うようにパッシベーション層形成用塗工液を塗工することにより、パターン状にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、真空紫外光を用いて上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と有し、上記有機半導体層の表面が上記パッシベーション層形成用塗工液に対する撥液性を備えるものであり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極の表面の上記パッシベーション層形成用塗工液に対する接触角が、上記有機半導体層の表面のそれよりも小さいことを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に、前記ソース電極および前記ドレイン電極が表面に露出するように形成された有機半導体層と、を有する有機半導体素子用基板を用い、 前記有機半導体層の表面に露出された前記ソース電極および前記ドレイン電極の間を覆うように、真空紫外光に対する遮光性を有する遮光性材料が含まれるパッシベーション層形成用塗工液を塗工することにより、パターン状にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、 真空紫外光を前記パッシベーション層および前記有機半導体層上に照射することにより、前記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を有する有機半導体素子の製造方法であって、 前記有機半導体層の表面が、前記パッシベーション層形成用塗工液に対する撥液性を備えるものであり、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の前記パッシベーション層形成用塗工液に対する接触角が、前記有機半導体層の表面の前記パッシベーション層形成用塗工液に対する接触角よりも小さいことを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (7件)：
H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J
Fターム (34件)：
5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM