半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027902
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223049
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】有機半導体層を備えた半導体装置のドレイン・オフ電流を抑制し、オン/オフ比の向上を図る。【解決手段】半導体装置10は、絶縁性基板11と、絶縁性基板11上にゲート電極12と、ゲート絶縁膜13とが順次形成され、ゲート絶縁膜13上に所定の距離を有して離隔して配置された2つのソース/ドレイン電極14と、ゲート絶縁膜13表面を覆うと共にソース/ドレイン電極14間を充填する半導体層15と、ソース/ドレイン電極14および半導体層15の表面を覆う絶縁膜16から構成され、絶縁膜16がソース/ドレイン電極14の表面に接する構成とする。一方のソース/ドレイン電極14の絶縁膜16側表面から半導体層14を介して他方のソース/ドレイン電極14にドレイン・オフ電流が流れることを防止する。逆スタガー型構造においてもソース/ドレイン電極を絶縁性基板とゲート絶縁膜とで挟む構成とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の表面に、所定の間隙を有して配置された第1のソース/ドレイン電極および第2のソース/ドレイン電極と、該第1のソース/ドレイン電極と第2のソース/ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、を備えた半導体装置であって、前記第1のソース/ドレイン電極および第2のソース/ドレイン電極の表面が前記半導体層から露出して形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L29/417 , H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/78 618B , G02F1/1368 , H01L29/78 618C , H01L29/78 619A , H01L29/28 , H01L29/50 M

Fターム (80件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA09 , 2H092KA18 , 2H092KA20 , 2H092KB01 , 2H092MA04 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA11 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD33 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104EE03 , 4M104FF06 , 4M104FF08 , 4M104GG08 , 4M104HH15 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110NN01 , 5F110NN27 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-069529 出願人：株式会社日立製作所
異方性導電フィルムの製造方法及び該方法により製造された異方性導電フィルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069132 出願人：株式会社リコー

審査官引用 (12件)

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-045573 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-350697 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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