特許
J-GLOBAL ID:200903071087609740

半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-360160
公開番号(公開出願番号):特開2004-119985
出願日: 2003年10月21日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】 本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイに関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】 突起電極23が形成されてなる半導体素子21と、この半導体素子21の突起電極形成側の面に形成されており、突起電極23の一部を残し突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層22とを具備する半導体装置において、封止樹脂層22及び半導体素子21の外周部分に面取り部24Aを形成し、この部位における応力集中及び破損発生を回避する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
突起電極が形成されてなる半導体素子と、 前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、 前記封止樹脂層及び前記半導体素子の外周部分に、前記封止樹脂層と前記半導体素子とを跨るように連続的に面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L21/301 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28
FI (4件):
H01L21/78 L ,  H01L23/12 501C ,  H01L23/28 J ,  H01L21/78 V
Fターム (2件):
4M109AA01 ,  4M109DA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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