特許
J-GLOBAL ID：200903071130706690
半導体基板の検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
安形 雄三
, 五十嵐 貞喜
, 北野 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-030468
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194016
出願日： 2008年02月12日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】半導体基板に対して光学的な検査と電気的な検査を組み合わせ、μ単位の非常に精密な故障発生位置を検出する半導体基板の検査装置を提供すると共に、修正機構と組み合わせることによって、切り離す面積を最小にして効率の良い修正を実施することができる欠陥修正機構を具備した検査装置を提供する。【解決手段】半導体基板を検査ステージに載置して駆動装置により走査する走査駆動機構と、半導体基板の照明領域を照明する照明装置と、照明領域の画像データに基づいて光学的欠陥を検出する光学的検査手段と、照明領域の位置を検出して位置情報を出力する位置検出手段と、半導体基板の光起電力に基づく電圧を検出する電圧検出手段と、光学的検出手段によって検出された欠陥位置及び電圧検出手段により測定された電圧の変化を組み合わせて欠陥種別を判定する欠陥判定手段とを設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を検査ステージに載置して駆動装置により走査する走査駆動機構と、前記半導体基板の照明領域に光を照明する照明装置と、前記照明領域の画像データに基づいて光学的欠陥を検出する光学的検査手段と、前記照明領域の位置を検出して位置情報を出力する位置検出手段と、前記半導体基板の光起電力に基づく電圧を検出する電圧検出手段と、前記光学的検出手段によって検出された欠陥位置及び前記電圧検出手段により測定された電圧の変化を組み合わせて欠陥種別を判定する欠陥判定手段とを具備したことを特徴とする半導体基板の検査装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
