特許
J-GLOBAL ID:200903071161320439

エレクトロルミネッセント素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-134000
公開番号(公開出願番号):特開2003-332051
出願日: 2002年05月09日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、フォトレジスト層等の不要な層を剥離する際に、その剥離を良好に行うことが可能なEL素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも電極層が形成された基板上に有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記有機EL層上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、上記剥離層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層を露光して現像することによりパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層により被覆されていない部分の有機EL層を除去する有機EL層現像工程と、上記剥離層を剥離することにより、その上に積層されたフォトレジスト層をも除去する剥離層剥離工程とを有することを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
少なくとも電極層が形成された基板上に有機エレクトロルミネッセント層を形成する有機エレクトロルミネッセント層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセント層上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト層を露光して現像することによりパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、前記フォトレジスト層により被覆されていない部分の有機エレクトロルミネッセント層を除去する有機エレクトロルミネッセント層現像工程と、前記剥離層を剥離することにより、その上に積層されたフォトレジスト層をも除去する剥離層剥離工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (3件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (7件)
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