半導体装置および半導体基板ならびにそれらの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-303217
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176809
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】格子欠陥をより低減した半導体装置を提供する。【解決手段】基板法線方向から見て閉じた形状の窪み104が表面に設けられた基板102と、少なくとも窪み104の内面(105、106、107)からの結晶成長によって基板102の表面上に形成された半導体層103とを備えた半導体装置である。

請求項（抜粋）：

基板法線方向から見て閉じた形状の窪みが表面に設けられた基板と、少なくとも前記窪みの内面からの結晶成長によって前記基板の前記表面上に形成された半導体層とを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01S 5/343

引用特許：

審査官引用 (6件)

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