特許
J-GLOBAL ID：200903071190646661
集積回路の多段埋め込み配線構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089507
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283520
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、高精度な配線構造の形成が可能である、特に配線材料としてCuを用いた場合でも配線抵抗が高抵抗化せず、また絶縁層の絶縁性の低下しない集積回路の多段埋め込み配線構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 導電層上に第2の絶縁層のパターニング時の露光光の反射を防止する機能を有する導電性被覆層を形成することにより、導電層表面での露光光のハレーションを防止でき、かつ該導電性被覆層が導電層の酸化防止機能、拡散防止機能を備えることにより上記目的を達成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の絶縁層中に形成された第1の埋め込み配線用溝と、該第1の埋め込み配線用溝に埋め込まれる第1の導電層および該導電層と導通し、第2の絶縁層のパターニング時の露光光の反射を防止する機能を有する導電性被覆層と、上記第1の絶縁層および導電性被覆層上に形成され、上記第1の導電層上にビアホールを有する第2の絶縁層と、該ビアホール内に形成され、上記第1の導電層と接続する導電性接続部と、上記第2の絶縁層と導電性接続部上に形成され、該導電性接続部上に第2の埋め込み配線用溝を有する第3の絶縁層と、該第2の埋め込み配線用溝に埋め込まれ、上記導電性接続部と導通する第2の導電層とを有することを特徴とする集積回路の多段埋め込み配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 23/522
H01L 21/88 K
, H01L 23/52 B
