二重金属ゲートを含む半導体構造及びその製造方法(二重金属ゲートの自己整合集積化)

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-317816
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165872
出願日： 2006年11月24日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】二重金属ゲートを含む半導体構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも1つのn型電界効果トランジスタ(nFET)および少なくとも1つのp型電界効果トランジスタ(pFET)を含み、その両方がそれぞれnFETの性質およびpFETの性質を有する金属ゲートを含み、上部多結晶シリコンゲート電極を含まない半導体構造を提供する。本発明は、このような半導体構造を製造する方法も提供する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

分離領域によって分離された少なくとも一つのnFETデバイス領域および少なくとも一つのpFETデバイス領域を有する半導体基板と、前記少なくとも一つのnFETデバイス領域内に設けられ、nFETの性質を有しかつ希土類金属含有層および第一金属層を備えた第一金属ゲートスタックと、前記少なくとも一つのpFETデバイス領域内に設けられ、pFETの性質を有しかつ第一金属層と同じかまたは異なる第二金属層を備えた第二金属ゲートスタックと、を備え、前記第一金属層および前記第二金属層が上部にSi含有ゲート電極を含まない、半導体構造。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 27/08 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L27/08 331E , H01L29/78 301G , H01L29/78 613A , H01L29/78 617M , H01L29/78 617L

Fターム (137件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA18 , 5F048DA23 , 5F048DA24 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE31 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ03 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK33 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (9件)

米国公開特許第20040256700号
米国特許出願第10/725,850号
米国特許出願第10/696,634号

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審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-327517 出願人：株式会社東芝
特開昭63-013379
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-432199 出願人：株式会社東芝

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