特許

J-GLOBAL ID：200903095863718267

半導体装置およびその製造方法

発明者： 門島 勝
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-105301
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294422
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 MISトランジスタのゲート電極の材料に金属を用いた場合に、熱プロセスによって、金属とゲート絶縁膜とが反応すること、あるいは、剥離することを防止し、かつ、MISトランジスタのしきい値の制御を可能にする。【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜8と、ゲート絶縁膜8上に形成され、第1金属(例えば、タンタル)を含む材料(例えば、窒化タンタル膜)よりなるゲート電極9とを有し、ゲート絶縁膜8は、第1絶縁物(例えば、酸化シリコン膜)6と第2絶縁物(例えば、酸化タンタル層)7とからなり、第2絶縁物7は、第1金属と同一種類の第2金属の酸化物層とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属を含む材料からなる導電体膜で形成されたゲート電極を有するMISトランジスタを備える半導体装置であって、 前記MISトランジスタのゲート絶縁膜は、前記ゲート電極との界面に、前記金属の酸化物からなる層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

FI (9件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F ,  H01L21/88 B

Fターム (141件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD12 ,  4M104DD21 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD61 ,  4M104DD62 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS00 ,  5F033SS07 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F140AA06 ,  5F140AA08 ,  5F140AA24 ,  5F140AA27 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF59 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG43 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013428   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-306457   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-023050   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-269483   出願人：株式会社東芝
• CMOSデバイス二重金属ゲート構造作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-381281   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド