酸化膜形成方法とその装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：橋本剛 , 鵜澤英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229727
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053561
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】原料ガスの利用効率を高めると共に200°C以下の製膜プロセスで電気特性に優れた酸化膜を形成する。【解決手段】酸化膜形成装置1は基板7に紫外光領域の光を照射すると共に基板7に有機シリコンからなる原料ガスG1とオゾンガスG2とを供して基板7の表面に酸化膜を形成させる。処理炉2には基板7が格納される。配管3は室温のもとで原料ガスG1とオゾンガスG2とを混合させて処理炉2内の基板7に供する。光源5は紫外光領域の光として210nmより長波長の光を基板7に照射する。配管3に供される原料ガスG1に対するオゾンガスG2の混合量は少なくとも原料ガスG1を完全に酸化するのに必要な化学当量以上となるように設定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に紫外光領域の光を照射すると共に前記基板に有機シリコンからなる原料ガスとオゾンガスとを供して前記基板の表面に酸化膜を形成させる酸化膜形成方法であって、前記オゾンガスを室温のもと前記原料ガスと混合すると共に、前記原料ガスに対するオゾンガスの混合量は前記原料ガスを完全に酸化するのに必要な化学当量以上となるように設定することを特徴とする酸化膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , C23C 16/40

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , H01L29/78 617V , C23C16/40

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA01 , 4K030FA08 , 4K030KA36 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA11 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045CA15 , 5F058BC02 , 5F058BF05 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF33 , 5F110GG02 , 5F110GG17

引用特許：

出願人引用 (8件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-087478 出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-260358 出願人：宮崎沖電気株式会社, 有限会社宮崎マシンデザイン, 沖電気工業株式会社
特開平4-188622

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審査官引用 (7件)

真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-260358 出願人：宮崎沖電気株式会社, 有限会社宮崎マシンデザイン, 沖電気工業株式会社
特開平4-188622
特開平4-180226

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