レーザダイオードの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194508
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040881
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】台座の上に搭載部品を半田接合する際にこの搭載部品の割れ等の不具合を解消することができるレーザダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】レーザダイオードチップ22は、オキサイドストライプ形のヘテロ接合を有し、n-GaAs基板2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、活性層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9等からなる。レーザダイオードチップ22の下に、1mΩ以上の抵抗値を有するサブマウント(n-GaAs基板)14が配置されている。サブマウント14は台座27上に接合されている。製造の際は、接合面31にAuメッキ層17を形成した台座27を用意するとともに、接合面30に2.0μm以上の厚さを有するAu-Sn膜25を形成したサブマウント14を用意し、台座27の上にサブマウント14を半田接合する。

請求項（抜粋）：

銅製の台座の上にGaAsよりなるサブマウントを介してレーザダイオードチップが半田接合されたレーザダイオードの製造方法であって、接合面にAu薄膜を形成した台座を用意するとともに、接合面に2.0μm以上の厚さを有するAu-Sn膜を形成したサブマウントを用意する工程と、前記台座の上に前記サブマウントを半田接合する工程と、を備えたことを特徴とするレーザダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001136 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012652 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-045553 出願人：松下電子工業株式会社

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