特許

J-GLOBAL ID：200903071299854159

結晶欠陥の評価方法と評価用試料

発明者： 村上 賢史
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102881
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311700
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】TEMで結晶欠陥の観察をする評価方法において、評価試料の表面から所要深さ方向の結晶欠陥の分布、特に欠陥密度の高い箇所を容易に検出でき、さらに、試料の水平方向で欠陥密度の観察評価が容易にできる結晶欠陥の評価方法と評価用試料の提供.【解決手段】試料の所要部を電子線が透過できるように数十〜数百nmの厚さに薄片化するに際し、試料表面とある角度θをなすように収束イオンビームの照射によって傾斜薄片部を形成することにより、目的の欠陥がこの中に含まれるよう設定でき、また、試料の深さ方向の欠陥の分布を調べる際に、各深さ位置での観察体積を増やすことができ、より低密度な欠陥についても観察が可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

評価試料の表面から所要深さ方向の結晶欠陥を観察評価するに際し、該試料の評価部分を表面と所要角度θで傾斜しかつ電子線が透過可能な厚さに薄片化した傾斜薄片部を形成する工程、前記傾斜薄片部を透過型電子顕微鏡で観察して該試料の深さ方向の欠陥を評価する工程を有する結晶欠陥の評価方法。

IPC (6件)：

H01L21/66 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N23/04 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26

FI (7件)：

H01L21/66 N ,  G01N1/32 B ,  G01N23/04 ,  H01J37/20 Z ,  H01J37/26 ,  G01N1/28 F ,  G01N1/28 G

Fターム (27件)：

2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC02 ,  2G052EC18 ,  2G052EC22 ,  2G052GA34 ,  4M106AA01 ,  4M106AB17 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CB19 ,  4M106DE02 ,  4M106DH50 ,  5C001AA08 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01 ,  5C033SS02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 格子歪み評価用Siウエファ、その製造方法及び格子歪みの評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307376   出願人：住友金属工業株式会社
• TEM評価試料及びその作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-064070   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法および結晶欠陥観察方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357983   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体結晶の欠陥評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-125775   出願人：信越半導体株式会社