不揮発性記憶素子とその製造方法、および記憶素子構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-528394
公開番号（公開出願番号）：特表2005-534195
出願日： 2003年07月19日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

本発明は、不揮発性記憶素子とその製造方法、および記憶素子構造に関するものである。この不揮発性記憶素子は、形成電圧を低減するために、第1電極(1)が、スイッチング材(2)の中に、第2電極(3)によって形成された電界(E)の強度を増幅するための電界増幅構造(4)を備えている。

請求項（抜粋）：

スイッチング材(2)と、このスイッチング材(2)に設けられた導電性電極(1,3)とを備え、電圧の印加により、スイッチング材(2)に電界(E)を形成する不揮発性記憶素子であって、形成工程後、スイッチング材(2)に、少なくとも2つの異なる導電状態(ON、OFF)が広がり、スイッチング材(2)に、所定のプログラム電圧(Vschreib、Vloesch)を印加することにより、これらの導電状態を繰り返しスイッチング可能な不揮発性記憶素子において、上記導電性電極(1、3)の少なくとも一方は、スイッチング材(2)の電界(E)の強度を増幅する、少なくとも1つの電界増幅構造(4)を備えていることを特徴とする、不揮発性記憶素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 , H01L49/02

FI (2件)：

H01L27/10 451 , H01L49/02

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083NA01 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (10件)

マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-501467 出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
電気的に消去可能で直接上書き可能な複数ビット単一セル記憶素子及びそれらで作製されるアレイ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-507656 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
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公報種別：公表公報出願番号：特願平10-531338 出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレーテッド

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