半導体評価装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-230972
出願日： 1998年02月14日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は近接場相互作用を利用して半導体の微細構造の欠陥を高分解能で測定して評価する半導体評価装置を提供する。【解決手段】半導体評価装置1は、PZTステージ2上に半導体デバイスである試料14が載置され、試料14にバイアス回路13からバイアス電圧を印加するとともに、加振機構4により水平方向であってプローブ3の共振周波数の振動をプローブ3に付与し、プローブ3の振幅をレーザダイオード6とフォトダイオード7で検出しつつ、PZTステージ・コントローラ12によりXYZの3方向に位置調整する。試料4である半導体デバイスは、バイアス電圧が印加されると、欠陥部分から光を発生し、この発光現象はプローブ3と試料14との距離によって変化するが、この発光現象の変化を光ファイバー15及び分光器11で検出して、CPU8が、2次元発光分布、各波長毎の発光分布及び発光のスペクトル分布等を測定する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの欠陥を近接場相互作用を利用して検出して、前記半導体デバイスの評価を行う半導体評価装置であって、前記半導体デバイスを載置する載置テーブルと、前記半導体デバイスにバイアス電圧を印加する電圧印加手段と、前記載置テーブルに載置されている前記半導体デバイスに近接して配設され先端が所定の光波長以下の大きさに形成されたプローブと、前記プローブと前記半導体デバイスとの相対位置を制御する位置制御手段と、を備え、前記位置制御手段により前記半導体デバイスと前記プローブとの相対位置を変化させつつ、前記半導体デバイスと前記プローブとの近接場相互作用による発光現象の変化を、前記プローブで検出して、前記半導体デバイスの評価を行うことを特徴とする半導体評価装置。

IPC (2件)：

G01N 37/00 , H01L 21/66

FI (2件)：

G01N 37/00 C , H01L 21/66 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体材料の評価方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-240247 出願人：株式会社東芝
液中観察機能付き走査型近視野顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-149281 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
走査型近視野光学顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056585 出願人：セイコー電子工業株式会社

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