処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金坂憲幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113817
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306847
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】ガス供給系における点検等の作業性の向上を図る。【解決手段】筐体2内に収容された複数の処理部3を備え、各処理部3にガス供給系の圧力調整部4および流量制御部5を介して処理ガス等のガスを供給して処理を行なう処理装置1において、前記流量制御部5を収容した第1の収容箱11を前記筐体2の上部に設置し、前記圧力調整部4をまとめて収容した第2の収容箱12を前記筐体2の上部よりも低い作業し易い場所に設置した。

請求項（抜粋）：

筐体内に収容された複数の処理部を備え、各処理部にガス供給系の圧力調整部および流量制御部を介して処理ガス等のガスを供給して処理を行なう処理装置において、前記流量制御部を収容した第1の収容箱を前記筐体の上部に設置し、前記圧力調整部をまとめて収容した第2の収容箱を前記筐体の上部よりも低い作業し易い場所に設置したことを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , C23C 16/44 F , H01L 21/324 G

Fターム (11件)：

4K030EA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045BB10 , 5F045BB20 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EB08 , 5F045EE04 , 5F045EN04 , 5F045HA24

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289266 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-293119 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
結晶性半導体薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-192574 出願人：三井東圧化学株式会社

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審査官引用 (4件)

プラズマ処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289266 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-293119 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
結晶性半導体薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-192574 出願人：三井東圧化学株式会社

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