特許
J-GLOBAL ID：200903071565805428

半導体装置の製造方法およびその装置

発明者：
根岸 伸幸

根岸 伸幸 について

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伊澤 勝

伊澤 勝 について

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横川 賢悦

横川 賢悦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303961
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072518
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 ArFリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。【解決手段】 有機系反射防止膜加工でのプラズマガスとしてArを用いない条件を適用した。さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるXeもしくはKrもしくArとXeの混合ガスもしくはArとKrの混合ガスを適用した。さらに、上記手段とは別に、レジスト改質とエッチングを交互に行なうプロセス方法及びプロセス装置を適用した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、単層または複数層の薄膜を介して被加工層を形成する工程と、 前記薄膜上に有機系反射防止層を形成する工程と、 該有機系反射防止層上にベンゼン環の重量比率が20%以下でC=O結合を有するレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記有機系反射防止膜をエッチングする工程と、 前記レジストパターンの残膜をマスクとして前記被加工層をエッチングする工程とを含み、 前記有機系反射防止膜のエッチング及び被加工層の一部のエッチングにおけるプラズマガスとして、全プラズマガス流量に対する流量比率が10%以下のArガスと、フロロカーボンガスであるCxHyFz(x、z=1〜10、y=0〜10)との混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/3065 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (8件)：
H01L21/302 105A ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/28 L ,  H01L21/30 574 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C
Fターム (53件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025BC81 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096EA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD20 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F004BB25 ,  5F004BC04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA22 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033WW07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX15 ,  5F046LA18 ,  5F046PA07 ,  5F046PA19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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