窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237925
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087850
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザをパッケージに組み込んだ際、レーザ素子の積層構造体を通して漏れ出る光によるホトダイオードの誤作動があった。【解決手段】基板と基板上の積層構造体を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子において、積層構造体中の、活性層を挟んでサブマウント等へのマウント面とは反対側のクラッド層と、マウント面に、活性層よりも小さなバンドギャップを有する光吸収層を設けることを特徴とする、窒化物系化合物半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化物系化合物半導体レーザ素子であって、該積層構造体中の、活性層を挟んでサブマウント等へのマウント面とは反対側のクラッド層と、当該マウント面の間の、任意の部位に、該活性層よりも小さなバンドギャップを有しているところの光吸収層を設けることを特徴とする、窒化物系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233178 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-115762 出願人：三洋電機株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235012 出願人：ローム株式会社

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