ヘテロ接合電界効果型トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-163466
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335506
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】コンタクト抵抗が小さくかつゲートリーク電流の少ないノーマリオフタイプのヘテロ構造電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】分極性を有する化合物半導体を用いて作製されたヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、その化合物半導体の無極性面上にゲート電極(G)が形成されており、その化合物半導体の極性面上にソース・ドレイン電極(S、D)が形成されていることを特徴としている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

分極性を有する化合物半導体を用いて作製されたヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、前記化合物半導体の無極性面上にゲート電極が形成されており、前記化合物半導体の極性面上にソース・ドレイン電極が形成されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B

Fターム (30件)：

4M104AA04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB33 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN07 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT06 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

パワー半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-275628 出願人：インターナショナルレクティファイアーコーポレイション
半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-149000 出願人：シャープ株式会社
4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-095658 出願人：松下電器産業株式会社, 小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之

全件表示

前のページに戻る