特許
J-GLOBAL ID：200903071654408190
液晶表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-378471
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177946
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】半導体層及び高融点金属膜とAlまたはAl合金からなる低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、AlまたはAl合金の耐腐食性を改善する。【解決手段】Al(合金)と高融点金属の積層膜パターン24、25をエッチングマスクであるフォトレジスト51から後退して形成し、この状態でAl(合金)膜の側面に保護膜38を形成する。このため、半導体層23のエッチングやチャネルエッチング時にAl(合金)膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Al(合金)膜の腐食を抑制することができる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層及び高融点金属膜と低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記積層金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記フォトレジストパターンの内側になるように前記積層金属膜をサイドエッチングさせて前記積層金属膜パターンを形成する工程と、前記低抵抗金属膜の露出している部分に保護膜を形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記半導体層の一部または全部をドライエッチングする工程と、前記フォトレジストを剥離除去する工程とを具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
2H092GA12
, 2H092GA32
, 2H092HA02
, 2H092HA03
, 2H092HA05
, 2H092HA06
, 2H092HA14
, 2H092JB01
, 2H092JB07
, 2H092JB11
, 2H092JB21
, 2H092JB31
, 2H092KB04
, 2H092MA12
, 2H092MA15
, 2H092MA17
, 2H092MA18
, 2H092MA37
, 2H092NA11
, 2H092NA25
出願人引用 (2件)
-
液晶表示素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-192640
出願人：株式会社東芝
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特開昭63-276242公報(第7、8頁の表)
審査官引用 (6件)
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