特許
J-GLOBAL ID：200903071673609643
ルテニウム電極を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399602
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230389
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 大きいキャパシタンスを確保するためにルテニウム電極を含む半導体メモリ素子とその製造方法とを提供する。【解決手段】 メモリセルを用いる半導体素子において、半導体基板と、前記半導体基板に形成されたトランジスタと、前記トランジスタと前記半導体基板上とに形成された絶縁膜122と、前記トランジスタに電気的に接続されたコンタクト孔とを備える活性マトリックス110と、前記コンタクト孔と前記絶縁膜上に形成された第1ルテニウム膜130と、前記第1ルテニウム膜の上部に形成された粗い表面を有する第2のルテニウム膜132とを含んでなる。
請求項（抜粋）：
メモリセルを用いる半導体素子において、半導体基板と、前記半導体基板に形成されたトランジスタと、前記トランジスタと前記半導体基板上とに形成された絶縁膜と、前記トランジスタに電気的に接続されたコンタクト孔とを備える活性マトリックスと、前記コンタクト孔と前記絶縁膜上に形成された第1ルテニウム膜と、前記第1ルテニウム膜の上部に形成された粗い表面を有する第2のルテニウム膜とを含んでなることを特徴とするルテニウム電極を含む半導体メモリ素子。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C23C 14/34
, C23C 16/18
, H01L 27/105
C23C 14/34 N
, C23C 16/18
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
