特許
J-GLOBAL ID：200903071795907246

記憶素子及びメモリ

発明者：
大場 和博

大場 和博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350240
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165059
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 良好な磁気特性及び耐熱性を有する記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17に対して、トンネルバリアとなる絶縁層16を介して磁化固定層31が設けられ、記憶層17が、酸化物層18を介して、下地層或いは上層の保護層19に接している記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、トンネルバリアとなる絶縁層を介して磁化固定層が設けられ、 前記記憶層は、酸化物層を介して、下地層或いは上層の保護層に接している ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4件)：
H01L43/08 H ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/16 ,  H01L27/10 447
Fターム (15件)：
5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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