特許
J-GLOBAL ID：200903071802390785

レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

発明者：
今 純一

今 純一 について

, 
矢野 映

矢野 映 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361506
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162060
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンによる微細パターンを短時間で効率良く形成可能なレジスト材料等の提供。【解決手段】 300nm未満の露光光に対し吸収ピークを示す第1光酸発生剤と、300nm以上の露光光に対し吸収ピークを示す第2光酸発生剤とを含有するレジスト材料、該レジスト材料の塗布膜に対し、300nm未満の露光光を用いて選択的に露光を行う第1露光工程と、300nm以上の露光光を用いて選択的に露光を行う第2露光工程とを含むレジストパターンの製造方法、該方法により製造されるレジストパターン。該レジストパターンにより形成されたパターンを有してなる半導体装置、前記製造方法により下地層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
波長300nm未満の露光光に対し吸収ピークを示す第1光酸発生剤と、波長300nm以上の露光光に対し吸収ピークを示す第2光酸発生剤とを含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 502 A
Fターム (15件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025BE07 ,  2H025BE08 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA06 ,  2H025FA41 ,  5F046AA02 ,  5F046AA09
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM