特許
J-GLOBAL ID：200903071872027599

半導体装置

発明者：
松井 光清

松井 光清 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046562
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236207
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】プロセスばらつきによるデバイス特性を正確に測定する。さらに、プロセスばらつきによるデバイス特性を改善、向上させる。【解決手段】半導体装置8に、複数の素子で形成され電源電圧に応じて基準電圧を端子に出力する基準電圧回路部9と、基準電圧回路部9の出力をデジタル値に変換するアナログデジタル変換回路10とを備え、電源IC11には、アナログデジタル変換回路10の出力するデジタル値に応じて半導体装置8に供給する電源電圧を制御する電源電圧レベル切り換え回路12を備え、プロセスばらつきによる半導体装置8の特性差を電源IC11にフィードバックすることにより、半導体装置単体毎のプロセスばらつきや特性のばらつきを補正するように電源電圧レベルを制御する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
複数の素子で形成され電源電圧に応じて基準電圧を端子に出力する基準電圧回路を備える半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/822 ,  G01R31/28 ,  H01L27/04
FI (3件)：
H01L27/04 T ,  H01L27/04 B ,  G01R31/28 V
Fターム (11件)：
2G132AA00 ,  2G132AK07 ,  2G132AL00 ,  2G132AL11 ,  5F038BB04 ,  5F038DF03 ,  5F038DF11 ,  5F038DT04 ,  5F038DT12 ,  5F038DT16 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 電源電圧供給装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277271   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開平2-311194号公報
審査官引用 (8件)
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