特許

J-GLOBAL ID：200903071979336390

炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  柘植 弘志 ,  藤本 辰雄 ,  中林 正史 ,  矢代 弘克 ,  澤村 充 ,  藍郷 崇 ,  星野 泰三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-321344
公開番号（公開出願番号）：特開2008-094700
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための高品質炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、該エピタキシャル薄膜が前記炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有することを特徴とする炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12 ,  5F045GB11 ,  5F045GB19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315367   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素単結晶、炭化珪素基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-169640   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-233231   出願人：新日本製鐵株式会社
• エピタキシャルSiC膜とその製造方法およびSiC半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-248897   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社