特許

J-GLOBAL ID：200903027536389556

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  柘植 弘志 ,  藤本 辰雄 ,  中林 正史 ,  澤村 充 ,  藍郷 崇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233231
公開番号（公開出願番号）：特開2006-052097
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径{0001}面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。【解決手段】成長面に溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、前記溝が幅2mm未満の矩形の溝であること、あるいは溝の構成面の少なくとも一部が{0001}面から15°以上75°以下の傾角を持った面であること、を特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、及び、これを用いた炭化珪素単結晶インゴットとその製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

成長面に矩形の溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、前記溝の幅が1μm以上2mm未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/205

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA11 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、および炭化珪素単結晶ウエハ、並びに炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307814   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (4件)

• 単結晶炭化ケイ素の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-094436   出願人：三菱電機株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-378265   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶、炭化珪素単結晶インゴット、および炭化珪素単結晶ウエハ、並びに炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307814   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-364593   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Local epitaxy and lateral epitaxial overgrowth of SiC