特許
J-GLOBAL ID:200903099454886749
エピタキシャルSiC膜とその製造方法およびSiC半導体デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
上代 哲司
, 神野 直美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-248897
公開番号(公開出願番号):特開2006-066722
出願日: 2004年08月27日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】表面にステップバンチングがないエピタキシャルSiC膜を提供すること。さらにその膜を用いてリーク電流が低く、MOS界面の移動度が高いデバイスを提供すること。【解決手段】 六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、前記SiC基板のオフカット面が、(0001)面から0.5°以上10°以下のオフカット角度を有し、前記オフカット面の結晶方向が、前記SiC基板の12種の等価な<21-30>方向([21-30]、[-2-130]、[2-310]、[-23-10]、[12-30]、[-1-230]、[1-320]、[-13-20]、[-3120]、[3-1-20]、[-3210]および[3-2-10]方向)のいずれかの方向から±7.5°以下のうちの1方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルSiC膜。【選択図】なし
請求項(抜粋):
六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、
前記SiC基板のオフカット面が、(0001)面から0.5°以上10°以下のオフカット角度を有し、
前記オフカット面の結晶方向が、前記SiC基板の12種の等価な<21-30>方向([21-30]、[-2-130]、[2-310]、[-23-10]、[12-30]、[-1-230]、[1-320]、[-13-20]、[-3120]、[3-1-20]、[-3210]および[3-2-10]方向)のいずれかの方向から±7.5°以下のうちの1方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルSiC膜。
IPC (5件):
H01L 21/205
, C30B 29/36
, H01L 21/20
, H01L 29/872
, H01L 29/47
FI (4件):
H01L21/205
, C30B29/36 A
, H01L21/20
, H01L29/48 D
Fターム (41件):
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA06
, 4G077TC13
, 4G077TC19
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA37
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4M104AA03
, 4M104CC03
, 4M104GG18
, 4M104HH12
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA05
, 5F045DA53
, 5F045HA13
, 5F045HA14
, 5F052JA01
, 5F052JA07
, 5F052KA01
, 5F052KA05
引用特許: