特許
J-GLOBAL ID：200903099454886749

エピタキシャルSiC膜とその製造方法およびSiC半導体デバイス

発明者：
塩見 弘

塩見 弘 について

, 
木本 恒暢

木本 恒暢 について


出願人/特許権者：
株式会社シクスオン

株式会社シクスオン について

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関西電力株式会社

関西電力株式会社 について

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住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

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三菱商事株式会社

三菱商事株式会社 について


代理人 (2件)： 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248897
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066722
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】表面にステップバンチングがないエピタキシャルSiC膜を提供すること。さらにその膜を用いてリーク電流が低く、MOS界面の移動度が高いデバイスを提供すること。【解決手段】 六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、前記SiC基板のオフカット面が、(0001)面から0.5°以上10°以下のオフカット角度を有し、前記オフカット面の結晶方向が、前記SiC基板の12種の等価な<21-30>方向([21-30]、[-2-130]、[2-310]、[-23-10]、[12-30]、[-1-230]、[1-320]、[-13-20]、[-3120]、[3-1-20]、[-3210]および[3-2-10]方向)のいずれかの方向から±7.5°以下のうちの1方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルSiC膜。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、 前記SiC基板のオフカット面が、(0001)面から0.5°以上10°以下のオフカット角度を有し、 前記オフカット面の結晶方向が、前記SiC基板の12種の等価な<21-30>方向([21-30]、[-2-130]、[2-310]、[-23-10]、[12-30]、[-1-230]、[1-320]、[-13-20]、[-3120]、[3-1-20]、[-3210]および[3-2-10]方向)のいずれかの方向から±7.5°以下のうちの1方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルSiC膜。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  H01L21/20 ,  H01L29/48 D
Fターム (41件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045DA53 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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