特許
J-GLOBAL ID：200903053279575425

磁気抵抗膜

発明者：
小林 伸聖

小林 伸聖 について

, 
大沼 繁弘

大沼 繁弘 について

, 
増本 健

増本 健 について


出願人/特許権者：
財団法人電気磁気材料研究所

財団法人電気磁気材料研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091123
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】本発明は、室温においてMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗膜を提供することを目的とする。【解決手段】 これら一般式(CO1-aFea)100-x-y-zLxMyOzで表わされ、LはPd,Ptのうちから、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素と少量の不純物からなるグラニュラー膜で、室温において5%以上の磁気抵抗効果を有する磁気抵抗膜。
請求項（抜粋）：
一般式(Co<SB>1-a</SB>Fe<SB>a</SB>)<SB>100x-y-z</SB>L<SB>x</SB>M<SB>y</SB>O<SB>z</SB>で表わされ、LはPd,Ptのうちから、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比a,x,y,zは原子比率で、0≦a≦10<x≦5010≦y≦4020≦z≦5030≦y+z≦70である組成からなり、室温で5%以上の磁気抵抗効果を示し、高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。
IPC (3件)：
H01F 10/16 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01F 10/16 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/39
Fターム (9件)：
5D034BA03 ,  5D093AB03 ,  5D093JA06 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16
引用特許：
審査官引用 (5件)
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