特許

J-GLOBAL ID：200903071983512496

シリコン膜およびそのパターン形成方法

発明者： 松木 安生 ,  江幡 敏
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308020
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 酸化シリコンやポリシリコンに容易に変換しうるアモルファスシリコン膜、それから、酸化シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜ならびにその製造法を提供すること。【解決手段】 酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜、これらの性質を利用してポリシリコン、酸化シリコンおよびアモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜を製造する方法ならびにかくして製造された膜。

請求項（抜粋）：

酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜。

IPC (5件)：

H01L 21/208 ,  C01B 33/02 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/208 Z ,  C01B 33/02 D ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 G

Fターム (50件)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072AA03 ,  4G072AA25 ,  4G072AA26 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072HH03 ,  4G072HH05 ,  4G072HH07 ,  4G072HH10 ,  4G072HH11 ,  4G072JJ03 ,  4G072LL01 ,  4G072LL02 ,  4G072LL03 ,  4G072MM36 ,  4G072MM40 ,  4G072NN01 ,  4G072NN30 ,  4G072RR01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR12 ,  4G072RR13 ,  4G072RR26 ,  4G072UU01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB09 ,  5F052JA01 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH05 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF29 ,  5F058BF40 ,  5F058BF77 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195985   出願人：シャープ株式会社, 昭和電工株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-102677   出願人：昭和電工株式会社
• 改善されたオルガノシリコンナノクラスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298187   出願人：株式会社日立製作所
• シリコン薄膜の形成方法及びシリコン薄膜の形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-339130   出願人：日本電気株式会社