特許
J-GLOBAL ID：200903071983512496

シリコン膜およびそのパターン形成方法

発明者：
松木 安生

松木 安生 について

, 
江幡 敏

江幡 敏 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308020
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 酸化シリコンやポリシリコンに容易に変換しうるアモルファスシリコン膜、それから、酸化シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜ならびにその製造法を提供すること。【解決手段】 酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜、これらの性質を利用してポリシリコン、酸化シリコンおよびアモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜を製造する方法ならびにかくして製造された膜。
請求項（抜粋）：
酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜。
IPC (5件)：
H01L 21/208 ,  C01B 33/02 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
H01L 21/208 Z ,  C01B 33/02 D ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 G
Fターム (50件)：
4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072AA03 ,  4G072AA25 ,  4G072AA26 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072HH03 ,  4G072HH05 ,  4G072HH07 ,  4G072HH10 ,  4G072HH11 ,  4G072JJ03 ,  4G072LL01 ,  4G072LL02 ,  4G072LL03 ,  4G072MM36 ,  4G072MM40 ,  4G072NN01 ,  4G072NN30 ,  4G072RR01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR12 ,  4G072RR13 ,  4G072RR26 ,  4G072UU01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB09 ,  5F052JA01 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH05 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF29 ,  5F058BF40 ,  5F058BF77 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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