特許
J-GLOBAL ID：200903072049475272

電子基板の製造方法

発明者：
吉田 宏之

吉田 宏之 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108077
公開番号（公開出願番号）：特開2004-317584
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】アッシングをせずに又は軽くアッシングするだけで、銅配線やLow-k膜等の絶縁膜にダメージを与えずに、残存する変質したレジストや埋め込み材及びエッチング残渣物等の、いわゆるポリマーも剥離できる電子基板の製造方法、並びに該製造方法に使用される崩壊剤組成物及び剥離剤組成物を提供する。【解決手段】(1)銅配線形成工程、(2)レジスト崩壊工程、及び(3)レジスト剥離工程を有する電子基板の製造方法であって、レジスト崩壊工程において酸化剤を含有するpH2〜8の崩壊剤組成物を用い、並びにレジスト剥離工程において(A)第四級アンモニウム化合物及び/又は水溶性アミン化合物と(B)酸化剤と水とを含有するpH9〜14の剥離剤組成物を用いる電子基板の製造方法とそこで用いられる組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
以下の(1)〜(3)の工程: (1):銅配線形成工程、 (2):レジスト崩壊工程、及び (3):レジスト剥離工程 を有する電子基板の製造方法であって、レジスト崩壊工程において酸化剤を含有するpH2〜8の崩壊剤組成物を用い、並びにレジスト剥離工程において(A)第四級アンモニウム化合物及び/又は水溶性アミン化合物と(B)酸化剤と水とを含有するpH9〜14の剥離剤組成物を用いる電子基板の製造方法。
IPC (3件)：
G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205
FI (3件)：
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/88 B
Fターム (47件)：
2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK32 ,  5F033LL02 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F046MA02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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