特許
J-GLOBAL ID：200903002841920170

マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物

発明者：
デイビッド・シー・スキー

デイビッド・シー・スキー について


出願人/特許権者：
マリンクロッド・インコーポレイテッド

マリンクロッド・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550003
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526111
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：
【要約】本発明は、フォトレジスト残渣および他の不必要混入物(汚染物)を除去することにより、半導体ウェーハー基板をストリッピングするまたは洗浄するための、マイクロエレクトロニクス産業に有用な水性アルカリ組成物に関する。この組成物は一般的に、(a)pH約11またはそれ以上に調製するのに十分な量の、1またはそれ以上の金属イオンフリー塩基;(b)約0.01%ないし約5%の重量濃度(SiO2換算)の金属イオンフリー水溶性珪酸;(c)所望により、約0.01ないし約10%重量濃度の1またはそれ以上のキレート剤;(d)所望により、約0.1%ないし約80%の重量濃度の1またはそれ以上の水溶性有機補助溶媒;(e)所望により、約1%ないし約50%の重量濃度のチタン残渣除去促進剤;および(f)所望により、約0.01%ないし約1%の水溶性界面活性剤、を含む。
請求項（抜粋）：
集積回路基板をストリッピングまたは洗浄するための組成物であって、 (a)1またはそれ以上の金属イオンフリー塩基、 (b)水溶性金属イオンフリー珪酸塩、および (c)水を含んでなる組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647
FI (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 Z
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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