半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186606
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007843
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】MOSFETとSBDを同一半導体チップ上に搭載した半導体装置において、コスト、実装面積、配線抵抗の減少を図る。【解決手段】MOSFETのソース領域23とSBDのカソード領域20とを導電部31により内部的に接続し、MOSFETのソース電極とSBDのカソード電極とを共通化したソース・カソード電極37を形成し、MOSFETのドレイン電極11とSBDダイオードのアノード電極13とを絶縁分離した状態で同一半導体チップ上に形成した。

請求項（抜粋）：

不純物濃度が比較的低い第1導電型のエピタキシャル成長層を有する第1導電型の半導体基板と、前記エピタキシャル成長層の表層部に選択的に形成されたドレイン領域およびソース領域を有し、前記エピタキシャル成長層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート配線を有するMOSFETと、前記エピタキシャル成長層の表面側で前記ドレイン領域に電気的に接続された状態で形成された表面ドレイン電極と、前記エピタキシャル成長層の表面側で前記ゲート配線に電気的に接続された状態で形成され、前記表面ドレイン電極とは絶縁分離された表面ゲート電極と、前記エピタキシャル成長層の表面側で前記ソース領域にコンタクトするように選択的に形成され、表面が絶縁層で覆われた内部ソース電極と、前記エピタキシャル成長層の表層部に選択的に形成されたダイオードと、前記エピタキシャル成長層の表面側で前記表面ドレイン電極、表面ゲート電極および内部ソース電極とは絶縁分離されて形成された前記ダイオードの表面アノード電極と、前記半導体基板の裏面に形成され、前記MOSFETの表面ソース電極および前記ダイオードの表面カソード電極として共通に設けられたソース・カソード電極と、前記内部ソース電極と前記ソース・カソード電極とを電気的に接続する導電部とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 27/06 102 A , H01L 27/08 102 D , H01L 27/08 102 B , H01L 29/48 F

Fターム (21件)：

4M104BB01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104FF04 , 4M104FF17 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F048AA01 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA06 , 5F048BB05 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BF02 , 5F048BF03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-168953
パワーデバイスの過熱検出回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292581 出願人：富士電機株式会社
特開平4-240763

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