特許

J-GLOBAL ID：200903072079094877

半導体薄膜の製造方法

発明者： 奥村 展
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035806
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】従来、液晶表示装置に搭載されるTFTの半導体薄膜を大粒径化する技術においては、スループットが低下し、サブミクロンのステージ動作精度を確保するため搬送系が複雑化するという問題があるため、大面積に渡って均質に大粒径化を果たすことは困難であった。【解決手段】a-Si膜に、nを1以上の整数、n発目のパルスのエネルギー密度をEn、パルス幅をWn、n発目と(n+1)発目のパルス間隔をtnとするとき、Eu>En≧En+1、tn≦6Wn、E1+E2+・・+En+En+1>Euの条件を満たす複数のパルスレーザを照射することにより、長軸方向が短軸方向の2倍を超える粗大結晶粒が得られ、基板の広い範囲に渡って大きなスキャンピッチでスキャン照射することが可能となり、高いスループットが得られ、ステージ動作精度の緩和も可能となる。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体薄膜に複数のパルスレーザを連続して同一箇所に照射することにより多結晶又は単結晶半導体薄膜を製造する方法であって、各パルスのエネルギー密度が、前記非単結晶半導体薄膜のパルスレーザの照射により微結晶化するエネルギー密度しきい値を超えないことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (16件)：

5F052AA02 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザ熱処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-229370   出願人：株式会社東芝
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051877   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-350714   出願人：ソニー株式会社
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260307   出願人：株式会社東芝
• レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213162   出願人：ソニー株式会社