特許

J-GLOBAL ID：200903072109386886

半導体装置製造用モールド

発明者： 佐々木 圭 ,  渡辺 寛 ,  矢部 秀毅 ,  綾 淳
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103097
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311713
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】製造効率が良く、剛性が高い半導体装置製造用モールドを提供する。【解決手段】本発明のモールド1は、レジスト11にパターン11aを形成するためにレジスト11に押し付ける半導体装置製造用モールドであって、パターン4を有するモールド本体7と、パターン4を覆う表面層5とを備え、表面層5は、シリコンを含んでいる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

レジストにパターンを形成するために前記レジストに押し付ける半導体装置製造用モールドであって、 パターンを有するモールド本体と、 前記パターンを覆う表面層とを備え、 前記表面層は、シリコンを含む材質よりなる、半導体装置製造用モールド。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (1件)：

H01L21/30 502D

Fターム (1件)：

5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• モールド、モールドの製造方法及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-065062   出願人：松下電器産業株式会社
• 硬化ナノインプリントスタンプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-364008   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 微細パタン形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-251252   出願人：日本電信電話株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-072055   出願人：松下電器産業株式会社