特許
J-GLOBAL ID：200903072125168791

結晶欠陥の評価方法及び結晶欠陥評価装置

発明者：
中嶋 健次

中嶋 健次 について

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船橋 博文

船橋 博文 について

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渡辺 行彦

渡辺 行彦 について

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吉田 友幸

吉田 友幸 について

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光嶋 康一

光嶋 康一 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058509
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 Siウエハ表面近傍の微小な酸素析出欠陥等の結晶欠陥を精度よく、簡易に評価する方法、装置の提供。【解決手段】 酸素析出欠陥等の結晶欠陥に対して選択比の大きい条件で異方性エッチングを行い、Secco液等によるエッチングでは検出できない微小な欠陥を精度良くかつ簡単に検出する。例えば、酸素析出欠陥の存在するシリコンウエハを試料としてこれを対酸化物選択比の大きい条件でエッチングすることで、エッチングされにくい酸素析出欠陥を頂点として円錐状エッチング残渣を得る。この円錐状エッチング残渣の形状はエッチング条件によって制御でき、その数および大きさ(例えば円錐底面直径d)を解析することで酸素析出欠陥の密度およびその深さ方向分布が評価できる。
請求項（抜粋）：
基板内又は所定層内に含まれる結晶欠陥に対して高選択比の異方性エッチングによって該基板又は所定層をエッチングし、結晶欠陥に起因した円錐状エッチング残渣を前記基板又は層の表面に露出させ、前記円錐状エッチング残渣に基づいて結晶欠陥を評価することを特徴とする結晶欠陥の評価方法。
Fターム (9件)：
5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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