特許
J-GLOBAL ID：200903072145031954

2つの半導体構成要素間の導電性ボンディング方法

発明者：
ジョーソー, クロード

ジョーソー, クロード について

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ジャラギエ, エリック

ジャラギエ, エリック について

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マダール, ロラン

マダール, ロラン について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-522578
公開番号（公開出願番号）：特表2003-509843
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：
【要約】本発明は、熱処理を利用して第1の半導体構成要素(10)の表面と第2の半導体構成要素(12)の表面との間における導電性ボンディングをする方法に関する。その方法は、熱処理後にそれら2つの表面間における導電性ボンディングを確保する構成とされた物質の中間の層(11、15、16、13)を少なくとも一つ伴い、熱処理が当該物質と前記半導体構成要素(10、12)の間に反応生成物を生じさせないように蒸着する層を選択し、前記表面を互いに対して押し付け、それから熱処理を実行する、ということによって構成される。例えば、前記第1及び第2の半導体構成要素(10、12)はSiCとし、前記中間の層はタングステン膜(11、13)やシリコン膜(15、16)で構成し、結果としてWSi2で構成される混合物(14)を生じる。
請求項（抜粋）：
熱処理によって第1の半導体構成要素(10、32、55)の面と第2の半導体構成要素(12、34、53)の面との間に導電性のあるボンディングを生成する方法であって、 -前記第1の半導体構成要素の前記面上に少なくとも一つの物質の層を蒸着すると共に前記第2の半導体構成要素の前記面上に少なくとも一つの物質の層を蒸着する、蒸着であって、それらの蒸着した層が前記熱処理中に結合して前記2つの面の間に導電性のあるボンディングを与える層を形成するものである、蒸着をし、 -蒸着した物質の前記層の介在によって、前記面の一方を他方に対して当て、 -前記熱処理を実行し、前記第1の半導体構成要素の前記面上へと蒸着した物質の層(11、15、33、37、52、57)と前記第2の半導体構成要素の前記面上へと蒸着した物質の層(13、16、35、38、54、58)とが、熱処理中に固相で反応し、かつ、前記第1(10、32、55)及び第2(12、34、53)の半導体構成要素に対する関係で温度安定な混合物を形成するように選ばれており、熱処理が前記蒸着した物質と前記半導体構成要素の少なくとも一つとの間に反応生成物を誘発しないことを特徴とする ことによって構成される方法。
FI (2件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/02 C
引用特許：
審査官引用 (8件)
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