特許
J-GLOBAL ID：200903072150386540

半導体基板の作製方法及び半導体基板

発明者：
佐藤 信彦

佐藤 信彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150840
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 多孔質シリコン層上に結晶欠陥の低減された非多孔質単結晶層を有する半導体基板とその形成方法を提供する。【解決手段】 多孔質シリコン層をシリコン系ガスを含まない雰囲気中で熱処理する熱処理工程と、前記多孔質シリコン層上に非多孔質単結晶シリコン層を成長させる工程を含む半導体基板の作製において、前記熱処理は、シリコンのエッチング量が2nm以下であって,且つ前記多孔質シリコン層のヘイズ値の変化率r(r=前記熱処理後のヘイズ値/前記熱処理前のヘイズ値とする)が1≦r≦3.5を満足する条件でなされることを特徴とする半導体基板の作製方法。
請求項（抜粋）：
多孔質シリコン層上に非多孔質単結晶層を有する半導体基板の作製方法において、前記多孔質シリコン層上に前記非多孔質単結晶層を形成する工程に先立って、前記多孔質シリコン層を非多孔質単結晶層の原料ガスを含まない雰囲気中で熱処理を行う工程を含み、かつ前記熱処理前後での前記多孔質シリコン層表面のヘイズ値の変化率r(r=(前記熱処理後の多孔質シリコン層表面のヘイズ値)/(前記熱処理前の多孔質シリコン層表面のヘイズ値))が一定の範囲内になるように前記熱処理条件を定めることを特徴とする半導体基板の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/84
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/84
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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