特許

J-GLOBAL ID：200903072158514423

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山川 晃司 ,  糸川 寛志 ,  中澤 啓輔 ,  名取 克晃 ,  山崎 壮一 ,  有隅 修 ,  谷口 泰之 ,  冨岡 和広 ,  金谷 宏行 ,  ウルリッヒ・エッガー
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-336023
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108876
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】誘電体膜を用いたキャパシタの特性と加工性を高める半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】誘電体膜(4)を用いたキャパシタを備える半導体装置の製造方法であって、前記誘電体膜をエッチングする際のマスク材料として複合酸化物(5)を使用する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

誘電体膜を用いたキャパシタを備える半導体装置であって、 前記誘電体膜をエッチングする際に使用したマスク材料を前記キャパシタの電極として備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444C

Fターム (17件)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR13 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-092532   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-065270   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-053874   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-057788   出願人：富士通株式会社