半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092532
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289809
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】プラグの酸化を招くことなく、微細なCOP構造を提供する。【解決手段】半導体基板1と半導体基板1上に形成されたソースメドレイン層2に達するコンタクト孔を有する層間絶縁膜7と前記コンタクト孔内に形成され、Ruを主成分とするプラグ10と、前記層間絶縁膜7上に形成され、前記プラグ10と電気的に接続したキャパシタとを具備し、前記キャパシタが、SrRuO3を主成分とする前記プラグ10と直接接続された下部キャパシタ電極11とこの下部キャパシタ電極11上に形成された強誘電体膜12および上部キャパシタ電極13を含む構成とする。

請求項（抜粋）：

導電部が形成された半導体基板と、前記導電部に達する貫通孔を有する絶縁膜と、前記貫通孔内に形成され、Ruを主成分とするプラグと、前記絶縁膜上に形成され、前記プラグと電気的に接続したキャパシタとを具備してなり、前記キャパシタは、SrRuO3 を主成分とする、前記プラグと直接接続する電極と、この電極上に形成された強誘電体膜とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/314 , H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 21/314 A , H01L 21/316 X , H01L 21/316 Y , H01L 21/316 G , H01L 21/316 M , H01L 21/316 P , H01L 27/10 444 B

Fターム (21件)：

5F058BA11 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BF46 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR34 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-047981 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-169761 出願人：三菱電機株式会社
ルテニウム系薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-016114 出願人：旭電化工業株式会社

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