特許
J-GLOBAL ID：200903072176801227

混合イオン伝導体

発明者：
谷口 昇

谷口 昇 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-247086
公開番号（公開出願番号）：特開2005-100978
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】伝導率が高く、信頼性が高い混合イオン伝導体、及びこれを用いた電気化学デバイスを提供する。 【解決手段】本発明の混合イオン伝導体は、BaとCeとInを含むペロブスカイト型酸化物の混合イオン伝導体であって、前記ペロブスカイト型酸化物は、Ba(Ce1-xInx)pO3(但し、xは0.4以上0.6以下の範囲、pは1以上1.02以下の範囲。)で示される結晶化合物である。本発明の電気化学デバイスは、前記の混合イオン伝導体を固体電解質として含む電気化学デバイスであって、酸化還元反応により発生する電子を前記固体電解質の厚さ方向に取り出す構造である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
BaとCeとInを含むペロブスカイト型酸化物の混合イオン伝導体であって、 前記ペロブスカイト型酸化物は、Ba(Ce1-xInx)pO3(但し、xは0.4以上0.6以下の範囲、pは1以上1.02以下の範囲。)で示される結晶化合物であることを特徴とする混合イオン伝導体。
IPC (6件)：
H01M8/02 ,  C01G15/00 ,  C04B35/495 ,  G01N27/409 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08
FI (6件)：
H01M8/02 K ,  C01G15/00 B ,  H01B1/06 A ,  H01B1/08 ,  C04B35/00 J ,  G01N27/58 A
Fターム (15件)：
4G030AA10 ,  4G030AA14 ,  4G030AA34 ,  4G030BA03 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026EE13 ,  5H026HH00 ,  5H026HH01 ,  5H026HH05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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