特許
J-GLOBAL ID：200903072218525454

配線構造とその製造方法

発明者：
下戸 直典

下戸 直典 について

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船田 佳嗣

船田 佳嗣 について

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松井 孝二

松井 孝二 について

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嶋田 勇三

嶋田 勇三 について

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内海 和明

内海 和明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003037
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた特性を有し、更にフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールをできる、高性能かつ高密度な配線構造を提供する。【解決手段】 少なくとも1層の絶縁膜5と導体パターン6,9とを有し、前記絶縁膜の少なくとも1層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなることを特徴とし、絶縁膜と導体パターンの積層を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造を得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層の絶縁膜と導体電極パターンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも1層が下記一般式(I)で表されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなることを特徴とする配線構造。【化1】(但し、Rは水素原子若しくは低級アルキル基であり、nは0〜20の整数である。)
IPC (6件)：
G03F 7/027 515 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/46 ,  C08F299/02 ,  C08G 59/17 ,  H05K 1/03 610
FI (6件)：
G03F 7/027 515 ,  H05K 3/46 T ,  C08F299/02 ,  C08G 59/17 ,  H05K 1/03 610 L ,  H01L 23/12 N
引用特許：
審査官引用 (28件)
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