特許

J-GLOBAL ID：200903072470256598

半導体ウェーハ用研磨組成物

発明者： チンル・ビアン ,  ジョン・クァンシ ,  マシュー・ビー・ヴァンハネヘム
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271970
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175432
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】炭窒化ケイ素をストッパ層としたバリア層およびキャップ層を、ディッシングやエロージョンなしに研磨できる研磨組成物を提供する。【解決手段】半導体ウェーハを研磨するのに有用な水性組成物であって、親水基および3より大きい炭素鎖長を有する疎水基を有し、かつウェーハに対して垂直方向に計測して13.8kPaの微細多孔性ポリウレタンの研磨パッド圧力で測定したとき、炭窒化ケイ素の除去速度を、窒化ケイ素除去速度の減少よりも少なくとも100オングストローム/分だけ大きく抑制する非イオン性界面活性剤を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを研磨するのに有用な水性組成物であって、炭窒化ケイ素の除去速度を抑制する非イオン性界面活性剤を含み、非イオン性界面活性剤が、親水基と、3より大きい炭素鎖長を有する疎水基とを有し、かつウェーハに対して垂直方向に計測して13.8kPaの微細多孔性ポリウレタンの研磨パッド圧力で測定したとき、炭窒化ケイ素の除去速度を窒化ケイ素の除去速度の減少よりも少なくとも100オングストローム/分だけ大きく抑制する、組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 犠牲ハードマスクを用いて金属パターンを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-003569   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 絶縁誘電体平面化のための化学的機械的研磨時の停止層としての炭化珪素
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-368148   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-398479   出願人：株式会社東芝
• CMP用スラリーおよび半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-037179   出願人：株式会社東芝
• 半導体層を研磨するための組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-228852   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド