特許
J-GLOBAL ID：200903072500664505
光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018054
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228537
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子を製造し得る光電変換素子の製造方法、光電変換効率に優れる光電変換素子、および、この光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、基板2上に、第1の電極3を形成する工程と、第1の電極3上に、緻密質層(緻密質な電子輸送層)41を形成する工程と、緻密質層41と接触するよう多孔質層(多孔質な電子輸送層)42を形成する工程と、多孔質層42と接触するよう色素層Dを形成する工程と、色素層Dと接触するよう正孔輸送層5を形成する工程と、正孔輸送層5上に、第2の電極6を形成する工程とを有し、例えば、緻密質層41を、低温スパッタリング法により、または、緻密質層41形成用の液体を用いて膜を形成し、この膜に水熱処理を施すことにより得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の電極を形成する工程と、
該第1の電極上に、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層を形成する工程と、
該電子輸送層と接触するよう色素層を形成する工程と、
該色素層と接触するよう正孔輸送層を形成する工程と、
該正孔輸送層上に、第2の電極を形成する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、
前記第1の電極を、該第1の電極形成用の液体を用いて膜を形成し、該膜に水熱処理を施すことにより得ることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 Z
, H01M14/00 P
5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051CB24
, 5F051CB30
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE16
, 5H032HH06
