特許
J-GLOBAL ID：200903072522695927
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067546
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264535
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 専用の一体型の装置を必要とせずに既存のスパッタ装置と熱処理装置を用いて、半導体基板上に形成した配線溝に銅を堆積して銅配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコンウエーハ10上のシリコン酸化膜12に配線溝11を形成する配線溝形成工程と、スパッタ法により配線溝11を含むシリコン酸化膜12上に銅膜14を形成する銅膜形成工程と、銅膜14を酸化する酸化工程と、銅膜14を水素雰囲気中で熱処理することにより、銅膜14をリフローして配線溝11中に充填するリフロー工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜に配線溝を形成する配線溝形成工程と、スパッタ法により前記配線溝を含む前記絶縁膜上に銅膜を形成する銅膜形成工程と、前記銅膜を酸化する酸化工程と、前記銅膜を水素雰囲気中で熱処理することにより、前記銅膜をリフローして前記配線溝中に充填するリフロー工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
