特許
J-GLOBAL ID：200903072581911412
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223035
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】所定の幅を有するリッジ部を形成する際の歩留まりを向上させることが可能であるとともに、劈開時や組立時に、発光に関与する1つのリッジ部への衝撃やダメージを低減することが可能な信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】p型AlGaAsクラッド層5の表面に所定の間隔を隔てて形成された複数のリッジ部を備える。そして、その複数のリッジ部は、互いに異なる幅を有する。
請求項（抜粋）：
活性層を含む半導体層と、前記半導体層の表面に所定の間隔を隔てて形成された複数のリッジ部とを備え、前記複数のリッジ部は、互いに異なる幅を有する、半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5F073AA11
, 5F073DA07
, 5F073DA22
, 5F073DA32
, 5F073HA02
, 5F073HA10
