特許
J-GLOBAL ID：200903072717009157
半導体膜の処理方法,光起電力素子の製造方法及び光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091279
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289886
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 光劣化現象を抑えた非晶質光起電力素子を提供する。【解決手段】 透明導電膜12が形成されたガラス基板11上に(a)、p型a-SiC層,i型a-Si層,n型a-Si層をこの順に積層してなる光電変換膜13を形成する(b)。透明導電膜12上に電極15を形成した後(c)、クラウンエーテルを含むKCNのキシレン溶液16に浸漬し、白金電極17に対して電極15に15Vの正電圧を印加する(d)。裏面金属膜18を形成する(e)。CN- イオンが効率良くi型a-Si層に取り込まれ、内部の弱い結合が置換され、内部のダングリングボンドが終端化される。
請求項（抜粋）：
非晶質相及び/または微結晶相を含む半導体膜を処理する方法において、クラウンエーテルを含むシアン化合物の溶液中に前記半導体膜を浸漬し、浸漬させた状態で前記半導体膜に電圧を印加することを特徴とする半導体膜の処理方法。
Fターム (6件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA11
, 5F051CB30
, 5F051DA04
, 5F051GA03
