半導体加速度センサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357824
公開番号（公開出願番号）：特開2003-156509
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】耐衝撃性に優れた半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】センサ本体1は、n形シリコン層からなる支持層101上の埋込絶縁層102上にn形シリコン層からなる活性層103が形成されたSOI基板100’を用いて形成される。撓み部13は、延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部13の両側面と支持枠11の内周面および重り部12の外周面との間に面取り部26が形成され、上記両端部を除いた部位にゲージ抵抗15が形成されている。面取り部26は、重り部12と支持枠11との間のスリット14を形成する際にあたって、支持層101においてスリット14に対応する部位を埋込絶縁層102に達するまでエッチングした後で、シリコン窒化膜19aをマスクとして、活性層103をTMAHにより異方性エッチングし、その後、埋込絶縁層102を除去することによって形成されている。

請求項（抜粋）：

矩形枠状の支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出するゲージ抵抗が撓み部に設けられ入出力用の電極が支持枠の表面側に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第1のカバーと、センサ本体の裏面側において前記開口窓を覆うように支持枠に接合された第2のカバーとを備え、撓み部は、センサ本体の表面側に設けられ、延長方向の両端部が中央部よりも幅広になるように撓み部の両側面と支持枠の内周面および重り部の外周面との間に面取り部が形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 A

Fターム (24件)：

4M112AA02 , 4M112CA21 , 4M112CA23 , 4M112CA24 , 4M112CA25 , 4M112CA28 , 4M112CA29 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA08 , 4M112DA09 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112DA13 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA01 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112FA01 , 4M112FA07

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-185205 出願人：本田技研工業株式会社
加速度計
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-134808 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357669 出願人：オムロン株式会社

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