特許
J-GLOBAL ID：200903072733948147

プラズマ発生用アンテナ、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及び被処理物の製造方法、並びに半導体装置の製造方法

発明者：
池澤 俊治郎

池澤 俊治郎 について


出願人/特許権者：
学校法人三浦学園

学校法人三浦学園 について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093597
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 任意形状の被処理物に対応し得るプラズマ発生用アンテナを用いてプラズマ処理する。【解決手段】 プラズマ発生用アンテナ10は、誘電体の内部に導線が埋設されたフレキシブルなケーブル構造となっている。このプラズマ発生用アンテナ10にVHF帯からUHF帯(例えば149MHz)の高周波電力を供給すると、誘電体の表面に電界が集中して、誘電体の表面を表面波が伝搬し、この表面波により誘電体の外側に表面波プラズマが発生する。このようなプラズマ発生用アンテナを真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内に反応性ガスを導入するとともにプラズマ発生用アンテナに電力を供給することによって、誘電体の外側に表面波プラズマを発生させ、この表面波プラズマにより反応性ガスを用いて被処理物をプラズマ処理することができる。
請求項（抜粋）：
誘電体の内部に導電体が埋設されたケーブル構造のものであって、電力が供給されることにより表面波が前記誘電体の表面を伝搬し、前記表面波によって前記誘電体の外側にプラズマを発生するように構成されたプラズマ発生用アンテナ。
IPC (6件)：
H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (6件)：
H05H 1/46 L ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Fターム (38件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC05 ,  4G075BC06 ,  4G075BC08 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB41 ,  4G075EC30 ,  4G075EE31 ,  4G075FA11 ,  4G075FA20 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA16 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DM06 ,  4K057DM28 ,  4K057DM40 ,  5F004AA01 ,  5F004BB11 ,  5F004DA23 ,  5F045AB02 ,  5F045AC16 ,  5F045BB01 ,  5F045CA13 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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