有機トランジスタを製造するための自己整合プロセス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 関根毅 , 高橋佳大 , 伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重 , 杉山公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-539693
公開番号（公開出願番号）：特表2008-520086
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ(TFT)及び他の部品が基板(206)上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン(211、311)が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板(206)上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の導電材料から成る第1層を、第1の相互接続層及び1つ以上のソース電極及びドレイン電極を有するパターン状に設ける工程; 前記基板上に、該基板から延在する1つ以上の壁部から成るキャビティを形成する工程; 前記キャビティ内の全ての領域又は部分的な領域を、半導体又は半導体前駆体を有する溶液で覆う工程; 前記キャビティ内の全ての領域又は部分的な領域をゲート絶縁体で覆う工程; 前記キャビティ内の全ての領域又は部分的な領域を、ゲート電極を有する第2の導電材料で覆う工程;及び前記基板上に第3の導電材料から成る層を、第2の相互接続層を有するパターン状に設ける工程; を有する、半導体デバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 21/288 , H01L 21/368 , H01L 21/312

FI (9件)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617V , H01L29/78 617J , H01L29/28 100A , H01L21/288 Z , H01L21/368 L , H01L21/312 A

Fターム (56件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD21 , 4M104DD51 , 5F053AA50 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR05 , 5F058AA10 , 5F058AB06 , 5F058AB10 , 5F058AC01 , 5F058AC10 , 5F058AD01 , 5F058AE10 , 5F058AF06 , 5F058AG01 , 5F058AH04 , 5F058AH10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF35 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第01/47045号パンフレット

審査官引用 (5件)

有機トランジスタの製造方法、及び有機EL表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-090940 出願人：松下電器産業株式会社
トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器、並びにトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-351112 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-032965 出願人：三星電子株式会社

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